SRAM (Static Random Access Memory, statisches RAM) wurde 1963 von Ingenieuren bei Fairchild Electronics erfunden und war die treibende Kraft für die Entwicklung des CMOS-Fertigungsprozess, der 1959 ebenfalls bei Fairchild erfunden wurde.
Der Hauptunterschied zu DRAM besteht darin, dass SRAM-Zellen nicht regelmäßig neu mit Spannung versorgt werden müssen, um die gespeicherten Informationen zu behalten. Dadurch ist der Stromverbrauch im Standby-Modus sehr niedrig. SRAM ist schneller, hat aber eine niedrigere Speicherdichte als DRAM.
SRAM ist ein schneller und zuverlässiger Speicher, der häufig als CPU- oder GPU-Cache in Computern, Routern, Druckern oder LCD-Bildschirmen eingesetzt wird.
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