Speicher-Komponenten
Speicherhalbleiter sind wesentliche Bausteine in heutigen elektronischen Geräten. Sie speichern und verarbeiten Daten in allen Anwendungen, von Smartphones bis hin zu Rechenzentren. Sie werden nach ihrer Funktionalität, der zugrunde liegenden Technologie sowie ihrer Architektur kategorisiert, wobei jeder Typ bestimmte Leistungs- und Preisanforderungen erfüllen muss.
Hier finden Sie eine Übersicht über die wichtigsten Speicher-Komponenten, die wir führen. Wenn Sie auf die Links klicken, gelangen Sie zu den entsprechenden Produktseiten mit weiteren Details.
1. Flüchtiger Speicher
DRAM sind so genannte flüchtige Speicher, die eine kontinuierliche Stromversorgung benötigen, um Daten zu speichern. Sie werden hauptsächlich als temporärer Speicher oder für einen schnellen Datenzugriff verwendet. Die Daten werden in Kondensatoren gespeichert, die in regelmäßigen Abständen mit Strom versorgt werden müssen, um einen Ladungsverlust auszugleichen.
Dynamic Random Access Memory (DRAM)
- Hohe Speicherdichte und kostengünstig
- Wir führen die folgenden Untertypen: DDR oder DDR1, DDR2, DDR3, DDR4, DDR5, LPSDR, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR4x, LPDDR5, LPDDR5x,
GDDR Grafikspeicher
- Entwickelt für parallele Verarbeitung mit hohen Datenübertragungsraten und geringer Latenz.
- Wir bieten GDDR-Versionen wie GDDR5, GDDR6 und GDDR7 an.
- GDDR6X verwendet PAM4 (Pulse Amplitude Modulation) für noch höhere Bandbreiten.
SRAM
- Schneller als DRAM, aber geringere Kapazität und teurer pro Megabyte
- Wir bieten asynchrones FAST SRAM, stromsparendes SRAM, synchrones SRAM, nichtflüchtiges SRAM und Pseudo SRAM
2. Nicht-Flüchtiger Speicher
Nichtflüchtiger Speicher benötigt keine ständige Stromzufuhr, um Daten zu behalten und eignet sich daher hervorragend für die Langzeitspeicherung von Daten.
Flash Speicher
- Elektrisch löschbar und wieder programmierbar.
- Es gibt NOR und NAND Flash
- Einen Überblick über die NAND- und NOR-Flash-Technologien, die wir führen, finden Sie unter Flash Memory
Neue Speichertechnologien / Emerging Memory
DRAM- und Flash-Speicher haben ihre Stärken und Schwächen. Daher gibt es neue Technologien, die darauf abzielen, Beschränkungen bei Geschwindigkeit, Dichte und Skalierbarkeit zu überwinden.
MRAM
- Steckbrief: MRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die seit den1990er Jahren entwickelt wird und Informationen nicht mit elektrischen, sondern mit magnetischer Ladung gespeichert wird.
- Datenerhalt von +10 Jahre bei 89°C
- Nahezu unbegrenzte Anzahl von Lesevorgängen
- Anwendungen: Automobilindustrie, IoT-Geräte, Smart Home Systeme, medizinische Geräte
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
- Steckbrief: ReRAM bezeichnet einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp, der Informationen durch Änderung des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Materials speichert
- Sehr niedriger Stromverbrauch bei Lesevorgängen
- Nahezu unbegrenzte Anzahl von Lesevorgängen
- Anwendungen: Bestens geeignet für Anwendungen mit vielen Lesezugriffen wie KI-Hardware, Speicher der Speicherklasse.
FeRAM / FRAM
- Steckbrief: FeRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ähnlich wie DRAM aufgebaut ist, aber eine ferroelektrische Schicht verwendet, um Daten auch ohne Stromzufuhr zu speichern.
- Schnelles Lesen und Schreiben bei geringer Leistungsaufnahme
- Daten müssen nicht gelöscht werden ehe Zellen neu beschrieben werden
- Nahezu unendliche Schreibvorgänge
- Anwendungen: Medizinische Geräte, Security-Systeme, als Ersatz für EEPROM oder SRAM