DDR
Am 4. Juni 1968 erhielt Robert Dennard ein Patent für sein Konzept einer DRAM-Zelle mit nur einem Transistor und einem Kondensator.
Diese einfache Struktur entspricht auch heute noch dem Aufbau von DRAM-Speichern.
Obwohl sich die Technologie erheblich weiterentwickelt hat, wird die erste DRAM-Generation immer noch produziert und in industriellen und Embedded-Anwendungen eingesetzt.
Getreu unserem Leitsatz, alle verfügbaren Speichertechnologien für industrielle und Spezial-Anwendungen anzubieten – von den ältesten bis zu den neuesten - erhalten Sie bei uns DDR1-DRAMs von folgenden Herstellern:
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Key features:
Other features:
- SSTL_2 compatible inputs
- Auto refresh and self-refresh
- Integrated ECC error correction
