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MRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die Daten mit Hilfe magnetischer Zustände speichert und nicht wie DRAM mit elektrischen Ladungen. MRAM wurde Mitte der 1980er Jahre entwickelt und gilt als eine sogenannte „Neue Speichertechnologie“ (emerging memory). Durch die Kombination der hohen Geschwindigkeit von SRAM und der hohen Dichte von NAND hat es das Potenzial, ein universeller Speicher zu werden, der als Codespeicher, Arbeitsspeicher, zur Datenprotokollierung oder als Backup-Speicher verwendet werden kann.
Wir bieten MRAM-Komponenten von Netsol an, die auf der Spin-Transfer-Torque-Schalttechnik basieren, die weniger Schreibstrom benötigt.
