MEMPHIS Electronic GmbH
Basler Str. 5
D-61352 Bad Homburg
Tel.: +49 6172 90350
E-mail: info@memphis.de
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Am 4. Juni 1968 erhielt Robert Dennard ein Patent für sein Konzept einer DRAM-Zelle mit nur einem Transistor und einem Kondensator.
Diese einfache Struktur entspricht auch heute noch dem Aufbau von DRAM-Speichern.
Obwohl sich die Technologie erheblich weiterentwickelt hat, wird die erste DRAM-Generation immer noch produziert und in industriellen und Embedded-Anwendungen eingesetzt.
Getreu unserem Leitsatz, alle verfügbaren Speichertechnologien für industrielle und Spezial-Anwendungen anzubieten – von den ältesten bis zu den neuesten - erhalten Sie bei uns DDR1-DRAMs von folgenden Herstellern:
Am 4. Juni 1968 erhielt Robert Dennard ein Patent für sein Konzept einer DRAM-Zelle mit nur einem Transistor und einem Kondensator.
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