Resistive Random Access Memory ist ein nichtflüchtiger elektronischer Speichertyp, der durch Änderungen des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Dielektrikums Informationen speichert.

ReRAM wird seit den 2000er Jahren entwickelt und seither wurden verschiedene Typen vorgestellt, die auf unterschiedlichen leitfähigen Materialien bestehen.

ReRAM ist ein hoch skalierbarer Speicher mit nahezu unbegrenzten Lesezyklen, die sehr wenig Strom verbrauchen. Dabei ist ReRAM voll aufwärtskompatibel mit EEPROM. Daher wird ReRAM in extrem kleinen und leichten, tragbaren Geräten eingesetzt wie Hörgeräten oder Smartwatches eingesetzt, aber erobert auch zunehmend IoT-, KI- oder Edge-Computing-Anwendungen.

Resistive Random Access Memory ist ein nichtflüchtiger elektronischer Speichertyp, der durch Änderungen des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Dielektrikums Informationen speichert.

ReRAM wird seit den 2000er Jahren entwickelt und seither wurden verschiedene Typen vorgestellt, die auf unterschiedlichen leitfähigen Materialien bestehen.

ReRAM ist ein hoch skalierbarer Speicher mit nahezu unbegrenzten Lesezyklen, die sehr wenig Strom verbrauchen. Dabei ist ReRAM voll aufwärtskompatibel mit EEPROM. Daher wird ReRAM in extrem kleinen und leichten, tragbaren Geräten eingesetzt wie Hörgeräten oder Smartwatches eingesetzt, aber erobert auch zunehmend IoT-, KI- oder Edge-Computing-Anwendungen.

• Nahezu unbegrenzte Lesezyklen
• Extrem niedriger Stromverbrauch: 0,15mA @ 5MHz max 0,7mA @ 10MHZ
• Bis zu1 Million Schreibzyklen
• Sehr kleine Bauform: 2.3mm 11pin WL-CSP