Glossar
Die Welt der Speicher ist voll von Fachbegriffen und Abkürzungen. In unserem Glossar finden Sie viele Fachbegriffe und Abkürzungen verständlich erklärt und alphabetisch sortiert.
Das AEC-Q100 (Component Technical Committee) erstellt Dokumente, um die allgemeinen Qualifikationsanforderungen für elektrische Komponenten zu definieren. Diese Dokumente enthalten detaillierte Anforderungen für Qualifizierungs- und Requalifizierung. Komponenten, die diesen Spezifikationen entsprechen, sind für den Einsatz in rauen Automobilumgebungen ohne zusätzliche Qualifizierungstests auf Komponentenebene geeignet. U.a. wird auch Temperaturklassifikation im Automotive-Umfeld beschrieben.
Average Selling Price, durchschnittlicher Verkaufspreis.
Der Speicher arbeitet unabhängig vom Systemtakt der CPU d.h. die Antwort des Speichers auf Schreib-/Leseanforderungen erfolgt nicht synchron mit dem Systemtakt sondern asynchron.
Nach AEC-Q100 unterscheidet man zwischen folgenden Umgebungstemperaturbereichen: Grade 4 (0°C ~70°C); Grade 3 (-40°C~+85°C); Grade 2 (-40°C~+105°C); Grade 1 (-40°C~+125°C) und Grade 0 (-40°C~+150°C) Umgebungstemperaturbereich. Es gibt auch Komponenten, die keine AEC-Q haben, aber diesen Termperaturbereich unterstützen. (z.B. Grade 2)
Air Way Bill, Tracking Nummer, Luftfrachtbrief, Warenbegleitpapier
Ball Grid Array (Kugelmatrixanordnung) ist eine Gehäuseform, bei der sich die Anschlüsse in einer Matrix angeordnet auf der unteren Seite des Speicher ICs befinden. Die Anschlüsse sind Lotperlen, die in einem Raster angeordnet sind. So können eine Vielzahl von Anschlüssen auf kleiner Fläche platziert werden.
Bit ist eine Abkürzung für "binary digit". Binäre Zahl (0 oder 1), stellt den Grundbaustein der Datenspeicherung dar.
Händler, der Waren von beliebigen Quellen einkauft. Gegenteil zum franchised Distributor, der die Ware direkt beim Hersteller bezieht.
https://de.wikipedia.org/wiki/Broker
Bedeutet gepuffert/entkoppelt d.h. ein Schaltkreis entkoppelt Eingangs- und Ausgangssignal wodurch die Eingangsseite des Prozessors oder dessen Speichercontrollers entlastet wird.
Zusammenfassung von 8 Bit, Standard-Maßeinheit für Datengrößen in Computern.
Compact Flash Card, früher häufig als Speichererweiterung bei Kameras verwendet; PATA Interface.
Contract Manufacturing Services = Bestücker
Certificat of Conformity, Bestätigung einer Originallieferung vom Hersteller
Bei DRAM typischerweise von 0°C bis 70°C Ta (Ambient/Umgebung, DDR1 und kleiner) bzw 0° bis 95°C Tc (Case/Gehäuse; bei DDR2 und höher), bei anderen Produkten kann der Commercial Temperature Bereich auch -25° bis +85°C haben
CPU ist eine Abkürzung für Central Processing Unit. Bezeichnet den Hauptprozessor.
https://de.wikipedia.org/wiki/Prozessor
Das Customer Requested Date ist der Zeitpunkt, zu dem der Kunde die Ware benötigt.
Customer Sample - Kundenmuster, die zur Qualifizierung geeignet sind und dem fertigen Produkt entsprechen. Im Gegensatz zum Engineering Sample, das in der Regel funktioniert, aber nicht alle Eigenschaften des fertigen besitzt.
Datasheet, Datenblatt
Datecode, Herstellungsdatum, Format JJWW, zB 1006, Jahr 2010, Woche 6 oder DC09+ : 2009 und neuer
Double Data Rate: Die Daten werden bei beiden Flanken des Taktsignals gelesen und geschriebendaher doppelter Durchsatz im Vergleich zur Single Data Rate.
Das Dual Inline Package beschreibt ein Gehäuse für Komponenten. Bei dieser Bauform sind die Pins zweireihig angeordnet; auf beiden Seiten des Komponenten-Gehäuses. Die DIP-Bauweise wird für Speicherbausteine und andere aktive und passive Komponenten eingesetzt: Für Zentraleinheiten (CPU), Verstärker, DIP-Schalter, Komparatoren, Widerstandsnetzwerke, LAN-Controller, LED-Einheiten usw.
Disk on Module (DOM) ist eine Modulform eines Flash-Speichers, die für Industrie-PCs oder für Endanwender vorgesehen ist. Seit der Einführung von SSDs (ca. 2009) spielen diese Geräte nur noch für Altgeräte mit IDE-Anschluss eine Rolle. Mit Hilfe eines DOMs als Ersatz für eine handelsübliche Festplatte lässt sich ein PC zusammenbauen, der keine beweglichen oder geräuscherzeugenden Teile mehr aufweist, wenn CPU und Netzteil passiv gekühlt sind und man auf ein optisches Laufwerk verzichtet.
Dynamic Random Access Memory oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access-Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt. Das speichernde Element ist dabei ein Kondensator, der entweder geladen oder entladen ist. Über einen Schalttransistor wird er zugänglich und entweder ausgelesen oder mit neuem Inhalt beschrieben.
Der Speicherinhalt ist flüchtig, das heißt die gespeicherte Information geht bei fehlender Betriebsspannung oder zu später Wiederauffrischung verloren.
Zwei unabhängig voneinander adressierbare DRAM Speicherbereiche mit 64Bit Datenbusbreite z.B. auf einem Memory Modul.
https://de.wikipedia.org/wiki/Speichermodul#B%C3%A4nke/Ranks
Estimated Annual Usage, geschätzte Jahresmenge eines Bedarfes.
Error Correction Code: Eine Art von Prüfsumme, die zusätzlich generierteDaten die beim Speichern der Nutzdaten erzeugt und abgelegt werden zum Verifizieren und ggf. Korrigieren der Nutzdaten beim Auslesevorgang.
Flash-Speicher der auf dem Chip selbst z.B bei einem Mikrocontroller oder in einem System wie zB. einer CF Karte integriert ist.
Electronics Manufacturing Services, i.e. sind Fertigungsdienstleister für elektronische Komponenten. Je nach Sprachraum werden diese Bestücker im Englischen auch als Contract Manufacturer bezeichnet.
https://de.wikipedia.org/wiki/Electronics_Manufacturing_Services
End of life: Die Einstellung der Fertigung eines Produktes.
Engineering Sample, frühes Stadium eines Artikels, damit der Entwickler schon mal testen kann.
Estimated Time of Arrival, geschätzte Ankunftszeit.
Estimated Time of Departure, geschätztes Versanddatum.
Fully Buffered DIMM Memorymodul mit gepufferten Adress- und Datenleitungen.
Ein Festplattenlaufwerk (oder auch Festplatte/hard disk drive/HDD) ist ein magnetisches Speichermedium mit vergleichsweise hohen Kapazitäten und recht geringer Lese-/Schreibgeschwindigkeit.
Nichtflüchtiger elektrisch löschbarer und wiederbeschreibbar Halbleiterspeicher.
Free of Charge, ohne Handlingskosten.
Abkürzung für Gigahertz, also eine Milliarde Hertz. Einheit für die Frequenz sich wiederholender Ereignisse pro Sekunde.
Hersteller-Teile-Nummer
Abkürzung für ein Hertz, Einheit für die Frequenz sich wiederholender Ereignisse pro Sekunde.
Integrated Circuit: integrierter Schaltkreis. Eine Vielzahl elektrischer Bauelemente ist in einem Halbleiterkristall implementiert und verschaltet.
https://de.wikipedia.org/wiki/Integrierter_Schaltkreis
Erweiterter Temperaturbereich (z.B. DDR2/ DDR3/ DDR4) von -40°C bis +95°C Gehäusetemperatur.
Schnittstelle, mechanisch und elektrisch definierte Verbindung zwischen Geräten und Systemen.
https://de.wikipedia.org/wiki/Schnittstelle
Joint Electron Device Engineering Council: In dieser Organisation haben sich eine Vielzahl von Unternehmen aus dem Bereich Halbleitertechnologie und Anwendung organisiert, um allgemein gültige Standards für elektronische Halbleiterbauelemente zu definieren.
https://de.wikipedia.org/wiki/JEDEC_Solid_State_Technology_Association
Abkürzung für Kilohertz, also eintausend Hertz. Einheit für die Frequenz sich wiederholender Ereignisse pro Sekunde.
Leadtime, Lieferzeit
Ausgereifte Speichertechnologienwelche noch vielfach verwendet werden, aber durch Weiterentwicklungen bei den modernsten Systemen abgelöst wurden.
Low-Power DDR SDRAM: speziell auf niedrigen Energieverbrauch optimierter DDR SDRAM. Sonst gleiches wie beim LPSDR. Weitere Entwicklungen führten nebst höheren Takt- und Übertragungsraten wie kürzeren Zugriffszeiten auch zu weiteren Reduzierungen der Versorgungsspannung, hier nun von 2.5 auf 1.8 Volt.
Gleiches wie beim LPDDR. Weitere Entwicklungen führten nebst höheren Takt- und Übertragungsraten wie kürzeren Zugriffszeiten auch zu weiteren Reduzierungen der Versorgungsspannung, hier nun von 1.8 auf 1.5 Volt.
Gleiches wie beim LPDDR2. Weitere Entwicklungen führten nebst höheren Takt- und Übertragungsraten wie kürzeren Zugriffszeiten auch zu weiteren Reduzierungen der Versorgungsspannung, hier nun von 1.5 auf 1.2 Volt.
Gleiches wie beim LPDDR3. Weitere Entwicklungen führten nebst höheren Takt- und Übertragungsraten wie kürzeren Zugriffszeiten auch zu weiteren Reduzierungen der Versorgungsspannung, hier nun von 1.5 auf 1.1 Volt.
Gleiches wie beim LPDDR4. Weitere Entwicklungen führten nebst höheren Takt- und Übertragungsraten wie kürzeren Zugriffszeiten auch zu weiteren Reduzierungen der Versorgungsspannung.
LowPower-SDRAM, auch als Mobile-RAM bezeichnet, ist ein speziell entwickelter SDRAM für den mobilen Einsatz in Smartphones, Notebooks und PDAs. Bei ansonsten gleichen Spezifikationen, z. B. beim Speichertakt oder der Datenübertragungsrate, hat er in der ersten Generation eine von 3,3 Volt auf 1,8 Volt reduzierte Versorgungsspannung und einen speziellen Deep-Power-Down-Modus und führt bei Bedarf einen Self-Refresh durch, was Mobilgeräten trotz kleiner Akkus tage- oder gar wochenlange Bereitschaftszeiten gewährt.
Load reduced DIMM, Adress- Daten- Steuersignalleitungen sind gepuffert.
Last Time Buy - Endbevorratung
Standard zur Beschreibung der Maße (FormFactor) von Flash Memory Erweiterungskarten (früher auch als NGFF New Generation Form Factor bezeichnet).
Zentrale Platine, an der die Komponenten eines PCs miteinander verbunden werden. Darauf befinden sich i.d.R. auch Prozessor und Arbeitsspeicher.
Ein klassisches Multi Chip Package besteht aus mehreren einzelnen Mikrochips (bzw. Dies), die in einem gemeinsamen Gehäuse planar (nebeneinander) oder bei Speichern oft übereinander untergebracht sind und nach außen wie ein einziges Chipgehäuse aussehen, so funktionieren und eingesetzt werden. Von außen sind solche Chips also nicht direkt erkennbar, sondern sehen aus wie viele andere auch. Heute wendet man die Bezeichnung MCM auch auf die Module an, die neben Halbleiter-Dies mikromechanische Elemente oder auch diskrete passive Bauelemente wie z. B. Kondensatoren oder Widerstände in SMD-Bauformen beinhalten.
Speichermodule, einzelne DRAM Komponenten auf einer standardisierten (JEDEC) Platine zu einem Speicherblock zusammengefasst.
Abkürzung für Megahertz, also eine Million Hertz. Einheit für die Frequenz sich wiederholender Ereignisse pro Sekunde.
MiniRegistered DIMM ist eine kompakte Bauform eines RDIMM (DRAM Modul).
Very Low profile - RDIMM in kompakter Bauform mit verringerter Bauhöhe.
In einer Multi Level (Flash) Zelle wird im Gegensatz zu einer Single Level Cell (SLC) nicht nur ein Bit gespeichert sondern 2Bit. Man hat also nicht nur einen Spannungspegel (single level) wie bei SLC sondern 4 Pegel (multiple) innerhalb der Zelle welche ausgewertet werden. SLC: 1Bit aber 2 Pegel (0 und 1), MLC: 2Bit, 4 Pegel (00, 01, 10, 11)
Minimum Order Quantity, Mindestbestellmenge
Massproduction, Artikel ist in der Serienproduktion.
Manufacturer Part Number, Artikelnummer des Herstellers.
Moisture Sensitive Level (1/2/3): Feuchteempfindlichkeit: Innerhalb der genannten Zeiträume ist das Bauteil verarbeitbar, ohne dass es beim Lötvorgang beschädigt wird.
Ein nicht-volatiler Speicher. NAND Flash ist blockweise organisiert und wird hauptsächlich in Applikationen eingesetzt, welche schnelles Schreiben und Laden von großen Datenmengen erfordern.
Speicher welche ihren Inhalt (d.h. Daten) auch ohne Spannungsversorgung behalten (FLASH, EEPROM, MRAM etc.). Im Gegensatz dazu verlieren volatile Speicher ohne Spannungsversorgung ihren Inhalt (DRAM, SRAM).
https://de.wikipedia.org/wiki/Nichtfl%C3%BCchtiger_Datenspeicher
Ein nicht-volatiler Speicher. Vorteilhaft ist die byteweise Adressierung welche z.B. eine direkte Programmausführung ermöglicht. NOR Flash wird hauptsächlich für Anwendungen verwendet, bei denen sich das Betriebssystem oder Teile davon direkt im Flash befindet.
Non Volatile Memory express; eine Software Schnittstelle (Protokoll) welche verwendet wird um Flash Speichermedien (SSD´s) über PCIe an die Prozessoreinheit anzuschließen.
Veralterung von Produkten. Der Prozess, obsolet oder veraltet zu werden und nicht mehr verwendet oder hergestellt zu werden. EOL werden, ohne dass eine zusätzliche Fertigung geplant ist.
Original Design Manufacturer, wenn ein Bestücker auch mit entwickelt (für einen Endkunden) .
https://de.wikipedia.org/wiki/Original_Design_Manufacturer
Original Equipment Manufacturer, Originalhersteller, oder auch Endkunde.
Partnumber, Artikelnummer
Printed Circuit Board, so nennt man die oft grünfarbige Platine.
https://de.wikipedia.org/wiki/Leiterplatte
PCI Express „Peripheral Component Interconnect express“, ist eine standardisierte schnelle Schnittstelle, welche Peripheriegeräte mit dem Hauptprozessoreinheit verbindet.
Product Change Notification: Produkt-Änderungsmitteilung.
https://de.wikipedia.org/wiki/Product_Change_Notification
Product Discontinuation Notice, Produktabkündigung
Product Termination Notification, Produktabkündigung
Quad Flat Package bezeichnet in der Elektronik eine weit verbreitete Gehäusebauform für Integrierte Schaltungen. Die Anschlüsse (Pins) befinden sich an den vier Seiten des flachen Gehäuses. QFP werden als oberflächenmontierte Bauteile auf Leiterplatten gelötet.
QFP besitzen in der Regel 32 bis 200 Pins, die in einem Rastermaß (Pitch) von 0,4 bis 1 mm angeordnet sind. Bei geringerer Anzahl von Anschlüssen wird eher das Small Outline Package (SOP oder SOIC) verwendet, bei der die Pins an zwei gegenüberliegenden Kanten angeordnet sind. Für größere Pinzahlen findet oft das Ball Grid Array (BGA) Anwendung, bei dem die ganze Unterseite als Anschlussbereich dient.
Ein direkter Vorgänger des QFP war der Plastic Leaded Chip Carrier (PLCC), der einen größeren Pinabstand von 1,27 mm (50 mil) verwendet und eine deutliche größere Gehäusehöhe hat.
Quadruple Level Cells, Flash Zellen welche vier Bits speichern können.
Bei Memory Modulen, vier voneinander unabhängig adressierbare Datenbereiche mit jeweils 64 Bit Datenbusbreite.
https://de.wikipedia.org/wiki/Speichermodul#B%C3%A4nke/Ranks
RAM ist eine Abkürzung für Random Access Memory. Speicherbaustein, in dem temporär Daten gespeichert werden, die zur Ausführung von Programmen benötigt werden.
Module, die über Register verfügen, welche die Adress-Treiberleitungen der Prozessoreinheit entlasten. Man nennt die auch gerne gepufferte Module, da nicht die Kapazität aller verbauten Chips auf dem Addressbus liegt.
https://de.wikipedia.org/wiki/Registered-Modul
Request for Quotation, Preisanfrage
Read Only Memory, Speicher aus dem Daten nur gelesen (nicht geschrieben) werden können.
Mechanisch robuste und widerstandsfähige Ausführung von Geräten.
Serial ATA (Serial AT Attachment) – üblich sind auch die Schreibweisen als Abkürzung, SATA und S-ATA – ist eine Computer-Schnittstelle für den Datenaustausch mit Festplatten und anderen Speichergeräten. ATA steht hierbei für das Übertragungsprotokoll „AT Attachment“ – im Unterschied dazu werden bei SATA die Daten jedoch seriell übertragen.
Synchronous Dynamic Random Access Memory: mit dem Takt des Prozessorsystems synchron arbeitender Speicher.
https://de.wikipedia.org/wiki/Synchronous_Dynamic_Random_Access_Memory
Modulausführung mit einem einzelnen 64 Bit breiten Speicherbereich.
https://de.wikipedia.org/wiki/Speichermodul#B%C3%A4nke/Ranks
Single-Level Cell-Speicher speichern in jeder Zelle ein Bit. Dies führt zu einem schnelleren Datentransfer, geringerem Energieverbrauch sowie eine verbesserte Lebensdauer der Zelle.
Small Outline Dual Inline Memory Module: kompakte Speicherbauform z.B für Notebooks.
https://de.wikipedia.org/wiki/Small_Outline_Dual_Inline_Memory_Module
Small Outline Dual Inline Registered Memory Module: kompakte Speicherbauform mit Registern zur Entkopplung der Adressleitungen von der Prozessoreinheit.
Standard (single) Package Quantity, VPE, Verpackungseinheit, kann Tube (Stange) Tray oder Rolle sein.
Static Random Access Memory: die Speicherzelle ist hier durch eine bistabile Kippstufe realisiert also pro Bit eine Kippstufe.
Solid State Drive: Die Information wird in Flash Speichern abgelegt (keine rotierenden Magnetplatten! – Drive ist hier eigentlich falsch, es gibt keine rotierenden Drives bei diesen Speichern).
to be announced: Wird noch angekündigt oder auch nicht.
to be discussed: Noch nicht endgültig besprochen/verabschiedet.
Speicher sind in verschiedenen Temperaturbereichen erhältlich. Die Temperatur bezieht sich hierbei auf die Umgebungstemperatur in der der Speicher betrieben wird. Hier unterscheidet man zwischen
- der kommerziellen Temperatur (0-70°C),
- der industriellen Temperatur (-40-85°C) sowie
- der automobil-Temperatur (-40-125°C).
Der Hersteller muss die Produkte für die jeweiligen Temperaturbereiche freigeben.
THz ist eine Abkürzung für Terahertz. Einheit für die Frequenz sich wiederholender Ereignisse pro Sekunde.
Triple Level Cells sind Flash Zellen welche drei Bits speichern können.
Das Thin Small-Outline Package ist die standardisierte Gehäuseform mit Anschlußbeinchen bei DRAMs nur bis zur Technik SDRAM DDR1 gebräuchlich. Mittlerweile weitgehend durch BGA Gehäuse (Ball Grid Array) verdrängt.
Eine insbesondere bei Servern und Massenspeichersystemen verbreitete Schnittstelle um (U.2-) SSD´s an das Rechnersystem anzuschließen.
Unbuffered DIMM eine Modulbauart bei der Adress- und Datenleitungen nicht gepuffert und damit direkt mitder Prozessoreinheit verbunden sind.
Ultra Low Profile Registered DIMM; eine sehr kompakte Modulbauart mit niedriger Bauhöhe. Es verfügt über Register umdie Adress-Treiberleitungen der Prozessoreinheit zu entlasten. Vorsicht bei der Bauhöhe, es gibt hier keine einheitliche Norm.
Ohne Puffer d.h. Signal- Adress- und Datenleitungen sind zwischen Speicher und Prozessoreinkeit direkt verbunden.
Ohne Register d.h. Signal- Adress- und Datenleitungen sind zwischen Speicher und Prozessoreinheit direkt mit der Prozessoreinheit verbunden.
Very Low Profile unbufferred DIMM; eine kompakte Modulbauart mit niedriger Bauhöhe. Hier sind alle Daten,- Adress- und Steuerleitungen direkt mit der Prozessoreinheit verbunden.
Very Low Profile Registered DIMM; eine kompakte Modulbauart mit niedriger Bauhöhe. Es verfügt über Register umdie Adress-Treiberleitungen der Prozessoreinheit zu entlasten.
Flüchtiger/volatiler Speicher. Die darin gespeicherten Daten gehen verloren sobald die Stromversorgung abgeschaltet ist. DRAM und SRAM sind typische volatile Speicher.