Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen Speicherbaustein.

FRAM gilt als sogenannte „aufstrebende Speichertechnologie“, dabei wurde das Konzept bereits 1952 vorgesellt. Die Vorstellung von DRAM in den 60er Jahren hat die Entwicklung zurückgeworfen und sie wurde erst in den späten 1980er Jahren wieder aufgenommen und Mitte der 90er Jahre erstmals breiter eingesetzt. So war das Videospiel Sonic der Igel, das erste Spiel, das Spielstände auf FRAM speicherte.

Der Aufbau von FRAM entspricht dem einer DRAM-Zelle, nur wird anstelle eines konventionellen Kondensators ein Kondensator mit ferroelektrischem Dielektrikum eingesetzt. FRAM bietet viele Vorteile von nicht-flüchtigen Speichern, wie einen niedrigen Strombedarf und schnelle Schreibgeschwindigkeiten. Allerdings müssen die Zellen vor dem Beschreiben nicht vorher gelöscht werden.

Seine Leistung ist vergleichbar mit der von SRAM, was FRAM für den Einsatz in Echtzeitanwendungen interessant macht.

Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen Speicherbaustein.

FRAM gilt als sogenannte „aufstrebende Speichertechnologie“, dabei wurde das Konzept bereits 1952 vorgesellt. Die Vorstellung von DRAM in den 60er Jahren hat die Entwicklung zurückgeworfen und sie wurde erst in den späten 1980er Jahren wieder aufgenommen und Mitte der 90er Jahre erstmals breiter eingesetzt. So war das Videospiel Sonic der Igel, das erste Spiel, das Spielstände auf FRAM speicherte.

Der Aufbau von FRAM entspricht dem einer DRAM-Zelle, nur wird anstelle eines konventionellen Kondensators ein Kondensator mit ferroelektrischem Dielektrikum eingesetzt. FRAM bietet viele Vorteile von nicht-flüchtigen Speichern, wie einen niedrigen Strombedarf und schnelle Schreibgeschwindigkeiten. Allerdings müssen die Zellen vor dem Beschreiben nicht vorher gelöscht werden.

Seine Leistung ist vergleichbar mit der von SRAM, was FRAM für den Einsatz in Echtzeitanwendungen interessant macht.

• TSOP, BGA, DIP, QFN
• Extrem niedriger Stromverbrauch: Niedriger als Flash und EEPROM
• Erheblich schneller als EEPROM und Flash und ohne Schreibverzögerung
• Lange Lebensdauer: Unterstützt 10¹² bis 10¹⁵ Lese-/Schreibzyklen, deutlich mehr als Flash (~10⁵ Zyklen)
• Strahlungsresistent: Geeignet für Weltraum- und Militäranwendungen.
• Keine Schreibverzögerung: Sofortige Schreibfähigkeit: Kein komplexes Wear Leveling erforderlich
• Hohe Ausfallsicherheit: Datenerhalt von >10 Jahren bei 85°C (länger bei niedrigeren Temperaturen)
• I²C-, SPI- und Parallelschnittstellen: Kompatibel mit verschiedenen Mikrocontroller- und Embedded-System-Architekturen